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你并不了解小型濺射儀

更新時(shí)間:2023-04-01點(diǎn)擊次數(shù):1540
小型濺射儀的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場和磁場作用,產(chǎn)生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運(yùn)動(dòng)軌跡近似一條擺線。
  若為環(huán)形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng),它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar來轟擊靶材,從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠(yuǎn)離靶表面,并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。
  小型濺射儀包括:氣路、真空系統(tǒng)、循環(huán)水冷卻系統(tǒng)、控制系統(tǒng)。其中:
  (1)氣路系統(tǒng):與PECVD系統(tǒng)類似,磁控濺射系統(tǒng)應(yīng)包括一套完整的氣路系統(tǒng)。但是,與PECVD系統(tǒng)不同的是,PECVD系統(tǒng)中,氣路中為反應(yīng)氣體的通道。而磁控濺射系統(tǒng)氣路中一般為Ar、N2等氣體。這些氣體并不參與成膜,而是通過發(fā)生輝光放電現(xiàn)象將靶材原子轟擊下來,使靶材原子獲得能量沉積到襯底上成膜。
  (2)真空系統(tǒng):與PECVD系統(tǒng)類似,磁控濺射沉積薄膜前需要將真空腔室抽至高真空。因此,其真空系統(tǒng)也包括機(jī)械泵、分子泵這一高真空系統(tǒng)。
  (3)循環(huán)水冷卻系統(tǒng):工作過程中,一些易發(fā)熱部件(如分子泵)需要使用循環(huán)水帶走熱量進(jìn)行冷卻,以防止部件損壞。
  (4)控制系統(tǒng):綜合控制PECVD系統(tǒng)各部分協(xié)調(diào)運(yùn)轉(zhuǎn)完成薄膜沉積,一般集成與控制柜。




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